دیتاشیت IPD068P03L3G

IPD068P03L3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD068P03L3G
حجم فایل 69.477 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPD068P03L3G

IPD068P03L3G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD068P03L3G
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@150uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,70A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Infineon Technologies