دیتاشیت IPD068P03L3G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | IPD068P03L3G |
---|---|
حجم فایل | 69.477 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPD068P03L3G |
IPD068P03L3G Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD068P03L3G
- Power Dissipation (Pd): 100W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 70A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@150uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,70A
- Package: TO-252-2(DPAK)
- Manufacturer: Infineon Technologies